俄歇电子能谱(AES)_俄歇电子能谱仪_厂家品牌,型号-仪器网

江西快3

仪器网

欢迎您: 请登录 免费注册 仪器双拼网址:yiqi。com
官方微信
仪器网

俄歇电子能谱

赛默飞化学分析仪器
仪器网/ 产品中心/ 分析仪器/ X射线仪器/ 俄歇电子能谱
俄歇电子能谱

俄歇电子能谱

俄歇电子能谱(简称AES),是一种表面科学和材料科学的分析技术。因此技术主要借由俄歇效应进行分析而命名之。这种效应系产生于受激发的原子的外层电子跳至低能阶所放出的能量被其他外层电子吸收而使后者逃脱离开原子,这一连串事件称为俄歇效应,而逃脱出来的电子称为俄歇电子。俄歇能谱仪包括电子光学系统、电子能量分析器、样品安放系统、离子枪、超高真空系统。
俄歇电子能谱产品筛选
产品品牌
更多品牌
产品产地
不限 中国大陆 大洋洲欧洲亚洲美洲
厂商性质
不限 生产商授权代理商一般经销商
销售地区
江苏山东上海北京安徽浙江福建广东广西海南湖北河南江西天津河北山西宁夏西藏青海陕西四川云南贵州甘肃辽宁吉林黑龙江内蒙古香港台湾澳门湖南重庆新疆
不限
展开更多选项
俄歇电子能谱产品列表
排列样式:
  • >
PHI 710  AES 扫描俄歇纳米探针

PHI 710 AES 扫描俄歇纳米探针

  • 品牌: 日本Ulvac-Phi
  • 型号: PHI 710
  • 产地:日本
  • 供应商:高德英特(北京)科技有限公司

    PHI公司的PHI710扫描俄歇纳米探针是一台设计独特的高性能的俄歇电子能谱(AES)仪器。该设备能分析纳米级特征区域,超薄薄膜和多层结构表界面的元素态和化学态信息。作为高空间分辨率,高灵敏度和高能量分辨率的俄歇电子能谱仪, PHI 710可以为用户提供纳米尺度方面的各种分析需求。  PHI710主要特点:●  SEM分辨率≤ 3 nm, AES分辨率≤ 8 nm在俄歇能谱的采集分析过程中,包括谱图,深度剖析及元素分布像,需要先在SEM图像上定义样品分析区域,必然要求束斑直径小且稳定。PHI 710的SEM图像的空间分辨率优于3nm,AES的空间分辨率优于8nm(@20kV,1nA),如下图所示:●  图2则是关于铸铁韧性断裂的界面分析,左边是SEM图像,中间是钙、镁、钛的俄歇成像,右边则是硫的俄歇成像,这充分证明了PHI 710在纳米级尺度下的化学态的分析能力。●  同轴筒镜分析器(CMA):PHI 公司电子枪和分析器同轴的几何设计,具有灵敏度高和视线无遮拦的特点,满足了现实复杂样品对俄歇分析全面表征能力的需求。如上图所示,所有俄歇的数据都是从颗粒的各个方向收集而来,成像没有阴影。若设备配备的不是同轴分析器,则仪器的灵敏度会降低,并且成像有阴影,一些分析区域会由于位置的原因,而无法分析。如果想要得到高灵敏度,只能分析正对着分析器的区域。如下图所示,若需要对颗粒的背面,颗粒与颗粒之间的区域分析,图像会有阴影。 ●  俄歇能谱仪的化学态成像:●  图谱成像PHI710能从俄歇成像分析的每个像素点中提取出谱图的相关信息,该功能可以实现化学态成像●  高能量分辨率俄歇成像下图是半导体芯片测试分析,测试的元素是Si。通过对Si的俄歇影像进行线性最小二乘法拟合(LLS),俄歇谱图很清楚的反映出了三个Si的不同化学态的区域,分别是:单质硅、氮氧化硅和金属硅,并且可以从中分别提取出对应的Si的俄歇谱图,如最下方三张图所示: ●  纳米级的薄膜分析如下SEM图像中,以硅为衬底的镍的薄膜上有缺陷,这是由于退火后,在界面处形成了硅镍化合物。分别在缺陷区域和正常区域设定了一个分析点,分析条件为高能量分辨率模式下(0。1%),电子束直径20nm,离子枪采用0。5kV设定,如下图所示:在MultiPak软件中,采取最小二乘拟合法用于区分金属镍和硅镍化合物,同样区分金属硅和硅化物。可以看出,硅镍化合物仅存在于界面处,而在镍薄膜层和硅衬底中都不存在。但是,在镍涂层的缺陷处,发现了硅镍化合物。                                                                                                                  ●  PHI SmartSoft-AES用户界面:PHI SmartSoft是一个从用户需求出发而设计的软件。该软件通过任务导向的方式指引用户导入样品,定义分析点,并设置分析条件,可以让新手快速,方便地测试样品,并且用户可以很方便的重复之前的测量。 ●PHI MultiPak 数据处理软件:​MultiPak软件拥有最全面的俄歇能谱数据库。采谱分析,线扫描分析,成像和深度剖析的数据都能用MultiPak来处理。软件强大的功能包括谱峰的定位,化学态信息及检测限的提取,定量测试和图像的增强等。 ●选配件:1。   真空室内原位样品泊放台;2。   原位脆断;3。   真空传送管;4。   预抽室导航相机;5。   电子能量色散探测器(EDS);6。   电子背散射衍射探测器(EBSD);7。   背散射电子探测器(BSE);8。   聚焦离子束(FIB); ●应用领域:1。 半导体器件:缺陷分析、蚀刻/清洁残余物分析、短路问题分析、接触污染物分析、界面扩散现象分析、封装问题分析、FIB器件分析等。2。显示器组件:缺陷分析、蚀刻/清洁残余物分析、短路问题分析、接触污染物分析、接口扩散现象分析等。3。 磁性存储器件:表面多层、表面元素、界面扩散分析、孔洞缺陷分析、表面污染物分析、磁头缺陷分析、残余物分析等。4。 金属、合金、玻璃及陶瓷材料:表面沉积物分析、清洁污染物分析、晶间晶界分析等。

PHI 4700 AES俄歇分析仪

PHI 4700 AES俄歇分析仪

  • 品牌: 日本Ulvac-Phi
  • 型号: PHI 4700
  • 产地:日本
  • 供应商:高德英特(北京)科技有限公司

    ??在开发新材料及薄膜制程上,为了有助于了解材料组成间的相互作用及解决工艺流程的问题,材料组成或薄膜迭层的深度分析是非常重要的。PHI 4700使用了AES分析技术为基础,搭配灵敏度半球型能量分析器、10 kV LaB6扫瞄式电子枪、5 kV浮动柱状式Ar离子枪及高精密度自动样品座。针对例行性的俄歇纵深分析、微区域的故障分析,提供了全自动与及高经济效益的解决方法。PHI 4700是建基于Ulvac-Phi公司的高性能PHI 700Xi俄歇扫描纳米探针。它提供了高度自动化,低成本、高效益的方案进行例行俄歇深度分析和微米范围的故障分析。 PHI 4700可以轻易的配备上互联网的设备,以供远程操作或监控之用。优点:l 量化薄膜的成分l 层的厚度测量l 检测相互扩散层l 微米范围多点分析基本规格:l 全自动多样品纵深分析:PHI 4700薄膜分析仪在微小区域之纵深分析拥有绝佳的经济效益,可在SEM上特定微米等级之微小区域快速进行深度分析。图2显示长年使用的移动电话镀金电极正常与变色两个样品之纵深分析结果,两者材质皆为镀金之锡磷合金。从电极二(变色电极)可看到金属锡扩散到镀金膜上,因为界面的腐蚀而产生氧及锡导致电极变色。???????l 灵敏度半球型能量分析器:PHI 4700半球形能量分析器和高传输输入透镜可提供最高的灵敏度和大幅缩短样品分析时间。除此之外,具有全自动的量测功能,此装置可在短时间内测量多个样品。 点选屏幕上软件所显示的样品座,可以记录欲量测的位置,对产品与工艺流程管理上之数据搜集可进行个别分析。??????l 10 kV LaB6扫瞄式电子枪:PHI的06-220电子枪是基于一个以LaB6为电子源灯丝以提供稳定且长寿命电子枪的工具,主要在氩气溅射薄膜时进行深度分析。06-220电子枪还可以:产生二次电子成像,俄歇测绘和多点分析。在加速电压调节从0.2至10千伏。电子束的最小尺寸可保证小于80纳米。l 浮动柱状式Ar离子枪:PHI的FIG- 5B浮动柱状式Ar离子枪:提供离子由5伏到5千伏。大电流高能量离子束被用于厚膜,低能量离子束(250-500 V)用于超薄膜。浮动柱状式,确保高蚀刻率与低加速电压。物理弯曲柱会阻止高能量的中性原子,从而改善了溅射坑形状和减少对邻近地区的溅射。l 五轴电动样品台和Zalar方位旋转:PHI 15-680精密样品台提供5轴样品传送:X,Y,Z,旋转和倾斜。所有轴都设有马达及软件控制,以方便就多个样品进行的自动纵深分析。样品台提供Zalar(方位角)旋转的纵深剖析,利用旋转来降低样品在一个固定位置上的择优溅射,以优化纵深分析。l PHI SmartSoft用户界面:PHI SmartSoft是一个被认同为方便用者使用的操作仪器软件。软件透过任务导向和卷标横跨顶部的显示指导用户从输入样品,定义分析点,并设定分析。多个分析点的定义和最理想样品的定位是由一个强大的“自动Z轴定位”功能所提供。预存多样的操作设定,可让新手能够快速,方便使用。??????可选用配备:l 热/冷样品座l 样品真空传送管(Sample Transfer vessel)应用领域:l 半导体薄膜产业l 微电子封装产业l 无机光电产业

对比栏隐藏对比栏已满,您可以删除不需要的栏内商品再继续添加!
您还可以继续添加
您还可以继续添加
您还可以继续添加
您还可以继续添加
您还可以继续添加